MIT: nueva generación de chips de nanoestructuras autoconfigurables

Gordon Moore, uno de los fundadores de Intel y pionero en el campo de los semiconductores, enunció una ley en 1965 y que lleva su nombre, la Ley de Moore, que cada año se multiplicaba por dos la complejidad de los circuitos electrónicos y, por tanto, con el paso de los años se reduciría el tamaño de éstos y aumentaría su capacidad.

Algunas investigaciones apuntan al grafeno como material complementario al silicio con el que poder superar la inestabilidad que éste puede presentar si se sigue disminuyendo la longitud del canal de los transistores pero, además, existen otros problemas derivados de las conexiones a realizar dentro del circuito. Un equipo del MIT se ha estado centrando en este último problema y parece que han desarrollado unas nanoestructuras que podrían “autoensamblarse” para formar las conexiones internas de los circuitos integrados, facilitando el proceso de fabricación.

Uno de los problemas que encuentran los ingenieros en microelectrónica a la hora de abordar el diseño de un chip y su fabricación es que la realización de conexiones y, por tanto, implementar nano-cables en el interior del chip es algo complejo, máxime cuanto más se reduce el tamaño del chip. Un equipo del MIT especializado en Ingeniería y Ciencia de los Materiales, ha estado trabajando en unas nano-estructuras auto-ensamblables basadas en polímeros que pueden controlarse para que formen estructuras bajo demanda.

¿Circuitos integrados auto-configurables? La idea del MIT es que estos polímeros sean los que sustituyan a los cables y uniones metálicas dentro del circuito integrado. Con esa idea, el equipo desarrolló un material basado en dos polímeros con propiedades físicas y químicas diferentes que se unen formando largos cilindros.

¿Y todo esto qué significa? El sistema desarrollado por el MIT es perfectamente compatible con los procesos de fabricación actuales y facilita el desarrollo de circuitos integrados a escala nanométrica, permitiendo aumentar más el nivel de miniaturización (llegando a 10 nm) sin necesidad de complicar el proceso de fabricación actual en demasía.

Via: extremetech

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